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Transistor de puissance fonctionnement

(486 produits disponibles)

Pack d'interrupteurs d'éclairage auxiliaire XF (C2Z3083) (avec régulation de niveau de voiture en mode croisière) - Product Image 1

Pack d'interrupteurs d'éclairage auxiliaire XF (C2Z3083) (avec régulation de niveau de voiture en mode croisière) - Product Image 2

Pack d'interrupteurs d'éclairage auxiliaire XF (C2Z3083) (avec régulation de niveau de voiture en mode croisière)

50,59 €

quantité minimum: 1 pièce

Eurojag Limited

1 yrs

GB

Transistor MOSFET de puissance Inf-ineon N-Channel 30V 80A IRLR8726T AOD538 FDD050N03B FDD8896 Montage en surface -50°C à 150°C - Product Image 1

Transistor MOSFET de puissance Inf-ineon N-Channel 30V 80A IRLR8726T AOD538 FDD050N03B FDD8896 Montage en surface -50°C à 150°C - Product Image 2

Transistor MOSFET de puissance Inf-ineon N-Channel 30V 80A IRLR8726T AOD538 FDD050N03B FDD8896 Montage en surface -50°C à 150°C - Product Image 3

Transistor MOSFET de puissance Inf-ineon N-Channel 30V 80A IRLR8726T AOD538 FDD050N03B FDD8896 Montage en surface -50°C à 150°C - Product Image 4

Transistor MOSFET de puissance Inf-ineon N-Channel 30V 80A IRLR8726T AOD538 FDD050N03B FDD8896 Montage en surface -50°C à 150°C - Product Image 5

Transistor MOSFET de puissance Inf-ineon N-Channel 30V 80A IRLR8726T AOD538 FDD050N03B FDD8896 Montage en surface -50°C à 150°C - Product Image 6

Transistor MOSFET de puissance Inf-ineon N-Channel 30V 80A IRLR8726T AOD538 FDD050N03B FDD8896 Montage en surface -50°C à 150°C

0,0088-0,0263 €

quantité minimum: 1 000 pièces

NELCOM INTERNATIONAL LIMITED

1 yrs

Transistor MOSFET de puissance RJP30E2 Original 30A 360V, Triode, boîtier TO-220FL, montage en surface, température de fonctionnement de -50 à 175°C - Product Image 1

Transistor MOSFET de puissance RJP30E2 Original 30A 360V, Triode, boîtier TO-220FL, montage en surface, température de fonctionnement de -50 à 175°C - Product Image 2

Transistor MOSFET de puissance RJP30E2 Original 30A 360V, Triode, boîtier TO-220FL, montage en surface, température de fonctionnement de -50 à 175°C - Product Image 3

Transistor MOSFET de puissance RJP30E2 Original 30A 360V, Triode, boîtier TO-220FL, montage en surface, température de fonctionnement de -50 à 175°C

0,7003-1,06 €

quantité minimum: 2 pièces

YIDONG INDUSTRIAL (HK) CO., LIMITED

1 yrs

HK

Diode transistor TAIYAN SS2040FL – Température de fonctionnement -50°C à 125°C, Courant direct 50A, Courant de sortie 2A - Product Image 1

Diode transistor TAIYAN SS2040FL – Température de fonctionnement -50°C à 125°C, Courant direct 50A, Courant de sortie 2A - Product Image 2

Diode transistor TAIYAN SS2040FL – Température de fonctionnement -50°C à 125°C, Courant direct 50A, Courant de sortie 2A - Product Image 3

Diode transistor TAIYAN SS2040FL – Température de fonctionnement -50°C à 125°C, Courant direct 50A, Courant de sortie 2A - Product Image 4

Diode transistor TAIYAN SS2040FL – Température de fonctionnement -50°C à 125°C, Courant direct 50A, Courant de sortie 2A - Product Image 5

Diode transistor TAIYAN SS2040FL – Température de fonctionnement -50°C à 125°C, Courant direct 50A, Courant de sortie 2A - Product Image 6

Diode transistor TAIYAN SS2040FL – Température de fonctionnement -50°C à 125°C, Courant direct 50A, Courant de sortie 2A

0,0963-0,1926 €

quantité minimum: 100 pièces

Story Enterprise Limited

3 yrs

Nouveau semi-conducteur discret d'origine FDS4488 30V N-Channel PowerTrench MOSFET SOIC-8 - Température de fonctionnement de -55°C à +175°C - Product Image 1

Nouveau semi-conducteur discret d'origine FDS4488 30V N-Channel PowerTrench MOSFET SOIC-8 - Température de fonctionnement de -55°C à +175°C - Product Image 2

Nouveau semi-conducteur discret d'origine FDS4488 30V N-Channel PowerTrench MOSFET SOIC-8 - Température de fonctionnement de -55°C à +175°C - Product Image 3

Nouveau semi-conducteur discret d'origine FDS4488 30V N-Channel PowerTrench MOSFET SOIC-8 - Température de fonctionnement de -55°C à +175°C - Product Image 4

Nouveau semi-conducteur discret d'origine FDS4488 30V N-Channel PowerTrench MOSFET SOIC-8 - Température de fonctionnement de -55°C à +175°C

0,4377 €

quantité minimum: 50 unités

HK STORY ENTERPRISE LIMITED

1 yrs

Jekevi Nouveau Original IRF1404PBF TO-220AB N-Channel 40V 202A MOSFET de puissance haute performance à gaine creuse -55~+175 pour ordinateur - Product Image 1

Jekevi Nouveau Original IRF1404PBF TO-220AB N-Channel 40V 202A MOSFET de puissance haute performance à gaine creuse -55~+175 pour ordinateur - Product Image 2

Jekevi Nouveau Original IRF1404PBF TO-220AB N-Channel 40V 202A MOSFET de puissance haute performance à gaine creuse -55~+175 pour ordinateur - Product Image 3

Jekevi Nouveau Original IRF1404PBF TO-220AB N-Channel 40V 202A MOSFET de puissance haute performance à gaine creuse -55~+175 pour ordinateur - Product Image 4

Jekevi Nouveau Original IRF1404PBF TO-220AB N-Channel 40V 202A MOSFET de puissance haute performance à gaine creuse -55~+175 pour ordinateur

0,3677-0,4377 €

quantité minimum: 30 pièces

HK HongShengChuang Industrial Co., Limited

2 yrs

Tout nouveau transistor de SOT-23-6L USBLC6-2SC6 d'origine ESD et protection contre les surtensions (TVS/ESD) - Product Image 1

Tout nouveau transistor de SOT-23-6L USBLC6-2SC6 d'origine ESD et protection contre les surtensions (TVS/ESD) - Product Image 2

Tout nouveau transistor de SOT-23-6L USBLC6-2SC6 d'origine ESD et protection contre les surtensions (TVS/ESD) - Product Image 3

Tout nouveau transistor de SOT-23-6L USBLC6-2SC6 d'origine ESD et protection contre les surtensions (TVS/ESD) - Product Image 4

Tout nouveau transistor de SOT-23-6L USBLC6-2SC6 d'origine ESD et protection contre les surtensions (TVS/ESD) - Product Image 5

Tout nouveau transistor de SOT-23-6L USBLC6-2SC6 d'origine ESD et protection contre les surtensions (TVS/ESD) - Product Image 6

Tout nouveau transistor de SOT-23-6L USBLC6-2SC6 d'origine ESD et protection contre les surtensions (TVS/ESD)

0,0176-0,0788 €

quantité minimum: 20 pièces

CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED

2 yrs

Transistor Discret MOSFET IGBT de Puissance Original 10N60, Boîtier TO220F, Montage en Surface, Température de Fonctionnement de -55°C à 150°C - Product Image 1

Transistor Discret MOSFET IGBT de Puissance Original 10N60, Boîtier TO220F, Montage en Surface, Température de Fonctionnement de -55°C à 150°C - Product Image 2

Transistor Discret MOSFET IGBT de Puissance Original 10N60, Boîtier TO220F, Montage en Surface, Température de Fonctionnement de -55°C à 150°C - Product Image 3

Transistor Discret MOSFET IGBT de Puissance Original 10N60, Boîtier TO220F, Montage en Surface, Température de Fonctionnement de -55°C à 150°C - Product Image 4

Transistor Discret MOSFET IGBT de Puissance Original 10N60, Boîtier TO220F, Montage en Surface, Température de Fonctionnement de -55°C à 150°C

0,7003-1,06 €

quantité minimum: 2 pièces

YIDONG INDUSTRIAL (HK) CO., LIMITED

1 yrs

HK

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