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Transistor mosfet de puissance

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Nouveau MOSFET de puissance IRF520NPBF IRF520N TO-220 N-Channel 100V/9.7A à montage traversant, original - Product Image 1
Nouveau MOSFET de puissance IRF520NPBF IRF520N TO-220 N-Channel 100V/9.7A à montage traversant, original - Product Image 2
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Nouveau MOSFET de puissance IRF520NPBF IRF520N TO-220 N-Channel 100V/9.7A à montage traversant, original

0,2247-0,2506 €
quantité minimum: 10 pièces
HK SMARTCHIP VOYAGE TECHNOLOGY LIMITED
1 yrsHK flagHK4.9/5.0(8)
Transistor MOSFET N-canal AO3422A 60V 2.1A SOT-23 pour applications de commutation de puissance - Product Image 1
Transistor MOSFET N-canal AO3422A 60V 2.1A SOT-23 pour applications de commutation de puissance - Product Image 2
Transistor MOSFET N-canal AO3422A 60V 2.1A SOT-23 pour applications de commutation de puissance - Product Image 3
Transistor MOSFET N-canal AO3422A 60V 2.1A SOT-23 pour applications de commutation de puissance - Product Image 4

Transistor MOSFET N-canal AO3422A 60V 2.1A SOT-23 pour applications de commutation de puissance

0,0951 €
quantité minimum: 2 pièces
ZZRS INDUSTRY LIMITED
1 yrsHK flagHK4.8/5.0(2)
Misuxin DN3535N8-G SOT89 SMD Circuit Intégré Transistor de Puissance MOSFET Régulateur 350V 0.2A Chine Nouveau Original - Product Image 1
Misuxin DN3535N8-G SOT89 SMD Circuit Intégré Transistor de Puissance MOSFET Régulateur 350V 0.2A Chine Nouveau Original - Product Image 2
Misuxin DN3535N8-G SOT89 SMD Circuit Intégré Transistor de Puissance MOSFET Régulateur 350V 0.2A Chine Nouveau Original - Product Image 3
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Misuxin DN3535N8-G SOT89 SMD Circuit Intégré Transistor de Puissance MOSFET Régulateur 350V 0.2A Chine Nouveau Original - Product Image 6

Misuxin DN3535N8-G SOT89 SMD Circuit Intégré Transistor de Puissance MOSFET Régulateur 350V 0.2A Chine Nouveau Original

0,6567-1,73 €
quantité minimum: 1 pièce
YIDONG INDUSTRIAL (HK) CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(1)
TPCP8F01(TE85L,F,M 8-SMD Transistors électroniques d'origine Composants électroniques Transistor MOSFET de puissance N-canal X35 PB-F - Product Image 1
TPCP8F01(TE85L,F,M 8-SMD Transistors électroniques d'origine Composants électroniques Transistor MOSFET de puissance N-canal X35 PB-F - Product Image 2
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TPCP8F01(TE85L,F,M 8-SMD Transistors électroniques d'origine Composants électroniques Transistor MOSFET de puissance N-canal X35 PB-F - Product Image 4
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TPCP8F01(TE85L,F,M 8-SMD Transistors électroniques d'origine Composants électroniques Transistor MOSFET de puissance N-canal X35 PB-F - Product Image 6

TPCP8F01(TE85L,F,M 8-SMD Transistors électroniques d'origine Composants électroniques Transistor MOSFET de puissance N-canal X35 PB-F

0,0433 €
quantité minimum: 50 pièces
IC ONLINE CO., LIMITED
3 yrsHK flagHK5.0/5.0(1)
Transistor de puissance IRF540NSPBF D2PAK-3, MOSFET SMD à montage en surface, 100V, 1 N-CH HEXFET, 44mOhms, 47.3nC - Product Image 1

Transistor de puissance IRF540NSPBF D2PAK-3, MOSFET SMD à montage en surface, 100V, 1 N-CH HEXFET, 44mOhms, 47.3nC

2,42-2,77 €
quantité minimum: 1 pièce
ATRIX SEMICONDUCTOR PTE LTD
2 yrsSG flagSG
CZChips MBR30100VCT 30A 100V 30100 Transistor de puissance D880 Transistores Igbt Mosfet Power MBR30100VCT Transistor - Product Image 1
CZChips MBR30100VCT 30A 100V 30100 Transistor de puissance D880 Transistores Igbt Mosfet Power MBR30100VCT Transistor - Product Image 2
CZChips MBR30100VCT 30A 100V 30100 Transistor de puissance D880 Transistores Igbt Mosfet Power MBR30100VCT Transistor - Product Image 3
CZChips MBR30100VCT 30A 100V 30100 Transistor de puissance D880 Transistores Igbt Mosfet Power MBR30100VCT Transistor - Product Image 4
CZChips MBR30100VCT 30A 100V 30100 Transistor de puissance D880 Transistores Igbt Mosfet Power MBR30100VCT Transistor - Product Image 5
CZChips MBR30100VCT 30A 100V 30100 Transistor de puissance D880 Transistores Igbt Mosfet Power MBR30100VCT Transistor - Product Image 6

CZChips MBR30100VCT 30A 100V 30100 Transistor de puissance D880 Transistores Igbt Mosfet Power MBR30100VCT Transistor

0,0009-0,0087 €
quantité minimum: 1 pièce
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
3 yrsHK flagHK4.8/5.0(14)
Transistor à effet de champ 2SK2645 K2645 MOSFET de puissance à canal N - Product Image 1
Transistor à effet de champ 2SK2645 K2645 MOSFET de puissance à canal N - Product Image 2
Transistor à effet de champ 2SK2645 K2645 MOSFET de puissance à canal N - Product Image 3
Transistor à effet de champ 2SK2645 K2645 MOSFET de puissance à canal N - Product Image 4
Transistor à effet de champ 2SK2645 K2645 MOSFET de puissance à canal N - Product Image 5
Transistor à effet de champ 2SK2645 K2645 MOSFET de puissance à canal N - Product Image 6

Transistor à effet de champ 2SK2645 K2645 MOSFET de puissance à canal N

0,0951-0,1729 €
quantité minimum: 10 pièces
HK SENTE ELECTRONICS LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(13)
2N7002LT1G 2N7002 SOT-23 MOSFET canal N 60V 115mA 7.5Ohm/10V 225mW transistor de puissance-55 ℃ ~ + 150 ℃ - Product Image 1
2N7002LT1G 2N7002 SOT-23 MOSFET canal N 60V 115mA 7.5Ohm/10V 225mW transistor de puissance-55 ℃ ~ + 150 ℃ - Product Image 2
2N7002LT1G 2N7002 SOT-23 MOSFET canal N 60V 115mA 7.5Ohm/10V 225mW transistor de puissance-55 ℃ ~ + 150 ℃ - Product Image 3
2N7002LT1G 2N7002 SOT-23 MOSFET canal N 60V 115mA 7.5Ohm/10V 225mW transistor de puissance-55 ℃ ~ + 150 ℃ - Product Image 4
2N7002LT1G 2N7002 SOT-23 MOSFET canal N 60V 115mA 7.5Ohm/10V 225mW transistor de puissance-55 ℃ ~ + 150 ℃ - Product Image 5
2N7002LT1G 2N7002 SOT-23 MOSFET canal N 60V 115mA 7.5Ohm/10V 225mW transistor de puissance-55 ℃ ~ + 150 ℃ - Product Image 6

2N7002LT1G 2N7002 SOT-23 MOSFET canal N 60V 115mA 7.5Ohm/10V 225mW transistor de puissance-55 ℃ ~ + 150 ℃

0,0085-0,0235 €
quantité minimum: 1 pièce
HONGKONG SMARE TRADING LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(3)

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