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Transistor mosfet de puissance

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Transistor MOSFET HYG025N06LS1P, circuit intégré, puce d'alimentation HYG025N06LS1P - Product Image 1
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Transistor MOSFET HYG025N06LS1P, circuit intégré, puce d'alimentation HYG025N06LS1P

0,2161-1,09 €
quantité minimum: 1 pièce
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(421)
Nouveau MOSFET d'onduleur original 202A 40V, boîtier TO-220, IRF1404PBF, puissance canal N 11mOhm Rds on -55°C à +175°C, conforme aux normes - Product Image 1
Nouveau MOSFET d'onduleur original 202A 40V, boîtier TO-220, IRF1404PBF, puissance canal N 11mOhm Rds on -55°C à +175°C, conforme aux normes - Product Image 2
Nouveau MOSFET d'onduleur original 202A 40V, boîtier TO-220, IRF1404PBF, puissance canal N 11mOhm Rds on -55°C à +175°C, conforme aux normes - Product Image 3
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Nouveau MOSFET d'onduleur original 202A 40V, boîtier TO-220, IRF1404PBF, puissance canal N 11mOhm Rds on -55°C à +175°C, conforme aux normes

0,2593-0,3111 €
quantité minimum: 1 pièce
HK SMARTCHIP VOYAGE TECHNOLOGY LIMITED
1 yrsHK flagHK4.9/5.0(8)
Nouveau transistor à effet de champ (MOSFET) à montage en surface IRFB4115PBF TO-220 - Product Image 1
Nouveau transistor à effet de champ (MOSFET) à montage en surface IRFB4115PBF TO-220 - Product Image 2
Nouveau transistor à effet de champ (MOSFET) à montage en surface IRFB4115PBF TO-220 - Product Image 3
Nouveau transistor à effet de champ (MOSFET) à montage en surface IRFB4115PBF TO-220 - Product Image 4
Nouveau transistor à effet de champ (MOSFET) à montage en surface IRFB4115PBF TO-220 - Product Image 5
Nouveau transistor à effet de champ (MOSFET) à montage en surface IRFB4115PBF TO-220 - Product Image 6

Nouveau transistor à effet de champ (MOSFET) à montage en surface IRFB4115PBF TO-220

0,2247 €
quantité minimum: 1 pièce
ANGEL TECHNOLOGY ELECTRONICS CO.
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(4)
Transistors DPAK SIHD14N60E-BE3 Acheter en ligne Composants électroniques BOM IC En stock - Product Image 1
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Transistors DPAK SIHD14N60E-BE3 Acheter en ligne Composants électroniques BOM IC En stock - Product Image 6

Transistors DPAK SIHD14N60E-BE3 Acheter en ligne Composants électroniques BOM IC En stock

0,7691-1,53 €
quantité minimum: 100 pièces
UNITE CHANCE CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(1)
Transistor IGBT Triode FET Discret Original Neuf 30F12, Boîtier TO220F, Température de Fonctionnement -55°C à 150°C, Montage en Surface, Alimentation LCD - Product Image 1
Transistor IGBT Triode FET Discret Original Neuf 30F12, Boîtier TO220F, Température de Fonctionnement -55°C à 150°C, Montage en Surface, Alimentation LCD - Product Image 2
Transistor IGBT Triode FET Discret Original Neuf 30F12, Boîtier TO220F, Température de Fonctionnement -55°C à 150°C, Montage en Surface, Alimentation LCD - Product Image 3
Transistor IGBT Triode FET Discret Original Neuf 30F12, Boîtier TO220F, Température de Fonctionnement -55°C à 150°C, Montage en Surface, Alimentation LCD - Product Image 4
Transistor IGBT Triode FET Discret Original Neuf 30F12, Boîtier TO220F, Température de Fonctionnement -55°C à 150°C, Montage en Surface, Alimentation LCD - Product Image 5
Transistor IGBT Triode FET Discret Original Neuf 30F12, Boîtier TO220F, Température de Fonctionnement -55°C à 150°C, Montage en Surface, Alimentation LCD - Product Image 6

Transistor IGBT Triode FET Discret Original Neuf 30F12, Boîtier TO220F, Température de Fonctionnement -55°C à 150°C, Montage en Surface, Alimentation LCD

0,6913-1,04 €
quantité minimum: 2 pièces
YIDONG INDUSTRIAL (HK) CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(1)
Composants électroniques FS450R12KE3, transistor MOSFET, module de puissance IGBT, thyristor SCR, module de diode, module IGBT - Product Image 1
Composants électroniques FS450R12KE3, transistor MOSFET, module de puissance IGBT, thyristor SCR, module de diode, module IGBT - Product Image 2
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Composants électroniques FS450R12KE3, transistor MOSFET, module de puissance IGBT, thyristor SCR, module de diode, module IGBT - Product Image 5
Composants électroniques FS450R12KE3, transistor MOSFET, module de puissance IGBT, thyristor SCR, module de diode, module IGBT - Product Image 6

Composants électroniques FS450R12KE3, transistor MOSFET, module de puissance IGBT, thyristor SCR, module de diode, module IGBT

177,53-178,43 €
quantité minimum: 1 pièce
STANDING DESK TECHNOLOGY VIETNAM CO., LTD
1 yrsVN flagVN
CZChips D30N03 TO-252 30V 30A MOS Transistor de puissance 2Sc2625 Transistores Mosfet Power Igbt Transistor D30N03 - Product Image 1
CZChips D30N03 TO-252 30V 30A MOS Transistor de puissance 2Sc2625 Transistores Mosfet Power Igbt Transistor D30N03 - Product Image 2
CZChips D30N03 TO-252 30V 30A MOS Transistor de puissance 2Sc2625 Transistores Mosfet Power Igbt Transistor D30N03 - Product Image 3
CZChips D30N03 TO-252 30V 30A MOS Transistor de puissance 2Sc2625 Transistores Mosfet Power Igbt Transistor D30N03 - Product Image 4
CZChips D30N03 TO-252 30V 30A MOS Transistor de puissance 2Sc2625 Transistores Mosfet Power Igbt Transistor D30N03 - Product Image 5
CZChips D30N03 TO-252 30V 30A MOS Transistor de puissance 2Sc2625 Transistores Mosfet Power Igbt Transistor D30N03 - Product Image 6

CZChips D30N03 TO-252 30V 30A MOS Transistor de puissance 2Sc2625 Transistores Mosfet Power Igbt Transistor D30N03

0,0009-0,0087 €
quantité minimum: 1 pièce
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
3 yrsHK flagHK4.8/5.0(14)
AO3401 SOT-23 MOSFET canal P 30V 4.2A 65mOhm/10V 350mW transistor de puissance-55 ℃ ~ + 150 ℃ 115pF BOM - Product Image 1
AO3401 SOT-23 MOSFET canal P 30V 4.2A 65mOhm/10V 350mW transistor de puissance-55 ℃ ~ + 150 ℃ 115pF BOM - Product Image 2
AO3401 SOT-23 MOSFET canal P 30V 4.2A 65mOhm/10V 350mW transistor de puissance-55 ℃ ~ + 150 ℃ 115pF BOM - Product Image 3
AO3401 SOT-23 MOSFET canal P 30V 4.2A 65mOhm/10V 350mW transistor de puissance-55 ℃ ~ + 150 ℃ 115pF BOM - Product Image 4
AO3401 SOT-23 MOSFET canal P 30V 4.2A 65mOhm/10V 350mW transistor de puissance-55 ℃ ~ + 150 ℃ 115pF BOM - Product Image 5
AO3401 SOT-23 MOSFET canal P 30V 4.2A 65mOhm/10V 350mW transistor de puissance-55 ℃ ~ + 150 ℃ 115pF BOM - Product Image 6

AO3401 SOT-23 MOSFET canal P 30V 4.2A 65mOhm/10V 350mW transistor de puissance-55 ℃ ~ + 150 ℃ 115pF BOM

0,0092-0,03 €
quantité minimum: 1 pièce
HONGKONG SMARE TRADING LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(3)

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