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Transistor puissance

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Transistor triode NPN BCX56-16 80V 1A 1,25W, boîtier SOT-89 pour circuit de commande de puissance et de régulation de tension - Product Image 1

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Transistor triode NPN BCX56-16 80V 1A 1,25W, boîtier SOT-89 pour circuit de commande de puissance et de régulation de tension

0,171-0,3419 €

quantité minimum: 10 pièces

Huacheng Vision Limited

1 yrs

HK

Transistor IGBT Triode FET Discret Original Neuf 30F12, Boîtier TO220F, Température de Fonctionnement -55°C à 150°C, Montage en Surface, Alimentation LCD - Product Image 1

Transistor IGBT Triode FET Discret Original Neuf 30F12, Boîtier TO220F, Température de Fonctionnement -55°C à 150°C, Montage en Surface, Alimentation LCD - Product Image 2

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Transistor IGBT Triode FET Discret Original Neuf 30F12, Boîtier TO220F, Température de Fonctionnement -55°C à 150°C, Montage en Surface, Alimentation LCD - Product Image 6

Transistor IGBT Triode FET Discret Original Neuf 30F12, Boîtier TO220F, Température de Fonctionnement -55°C à 150°C, Montage en Surface, Alimentation LCD

0,7198-1,08 €

quantité minimum: 2 pièces

YIDONG INDUSTRIAL (HK) CO., LIMITED

1 yrs

FS50R12W1T7B11BOMA1 Fournisseurs de composants électroniques d'origine Transistors MODULE IGBT BASSE CONSOMMATION Service de liste BOM simplifié - Product Image 1

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FS50R12W1T7B11BOMA1 Fournisseurs de composants électroniques d'origine Transistors MODULE IGBT BASSE CONSOMMATION Service de liste BOM simplifié

2,07 €

quantité minimum: 100 pièces

IC ONLINE CO., LIMITED

3 yrs

HK

Module de thyristor électronique MD5-800-44-D, module de transistor IGBT haute puissance - Product Image 1

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Module de thyristor électronique MD5-800-44-D, module de transistor IGBT haute puissance - Product Image 4

Module de thyristor électronique MD5-800-44-D, module de transistor IGBT haute puissance

62,98-79,99 €

quantité minimum: 5 pièces

ROSA Goods Global Inc

1 yrs

US

Module de transistor de puissance RF Dynax RT1-2AD-002-GY, utilisé tel quel, pièces d'équipement semi-conducteur de génération précédente - Product Image 1

Module de transistor de puissance RF Dynax RT1-2AD-002-GY, utilisé tel quel, pièces d'équipement semi-conducteur de génération précédente - Product Image 2

Module de transistor de puissance RF Dynax RT1-2AD-002-GY, utilisé tel quel, pièces d'équipement semi-conducteur de génération précédente - Product Image 3

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Module de transistor de puissance RF Dynax RT1-2AD-002-GY, utilisé tel quel, pièces d'équipement semi-conducteur de génération précédente - Product Image 6

Module de transistor de puissance RF Dynax RT1-2AD-002-GY, utilisé tel quel, pièces d'équipement semi-conducteur de génération précédente

403,07 €

quantité minimum: 1 pièce

1 yrs

KR

Module de pilotes de transistor IGBT de puissance CM1500HC-66R, neuf et d'origine - Product Image 1

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Module de pilotes de transistor IGBT de puissance CM1500HC-66R, neuf et d'origine - Product Image 4

Module de pilotes de transistor IGBT de puissance CM1500HC-66R, neuf et d'origine

125,96-629,80 €

quantité minimum: 3 pièces

ROSA TRADING GLOBAL INC

1 yrs

US

Transistors MOSFET haute performance IRFZ44N IRF3205, IRF530N, IRF540, IRF640, IRF730, IRF740, IRF830, IRF840, 5 pièces/lot - Product Image 1

Transistors MOSFET haute performance IRFZ44N IRF3205, IRF530N, IRF540, IRF640, IRF730, IRF740, IRF830, IRF840, 5 pièces/lot - Product Image 2

Transistors MOSFET haute performance IRFZ44N IRF3205, IRF530N, IRF540, IRF640, IRF730, IRF740, IRF830, IRF840, 5 pièces/lot - Product Image 3

Transistors MOSFET haute performance IRFZ44N IRF3205, IRF530N, IRF540, IRF640, IRF730, IRF740, IRF830, IRF840, 5 pièces/lot - Product Image 4

Transistors MOSFET haute performance IRFZ44N IRF3205, IRF530N, IRF540, IRF640, IRF730, IRF740, IRF830, IRF840, 5 pièces/lot - Product Image 5

Transistors MOSFET haute performance IRFZ44N IRF3205, IRF530N, IRF540, IRF640, IRF730, IRF740, IRF830, IRF840, 5 pièces/lot - Product Image 6

Transistors MOSFET haute performance IRFZ44N IRF3205, IRF530N, IRF540, IRF640, IRF730, IRF740, IRF830, IRF840, 5 pièces/lot

2,88-3,21 €

quantité minimum: 5 pièces

HK SMARTCHIP VOYAGE TECHNOLOGY LIMITED

1 yrs

IRF530NPBF TO-220 IRF530N MOSFET canal N 100V 17A 70W transistor de puissance-55 ℃ ~ + 175 ℃ BOM mos N-ch - Product Image 1

IRF530NPBF TO-220 IRF530N MOSFET canal N 100V 17A 70W transistor de puissance-55 ℃ ~ + 175 ℃ BOM mos N-ch - Product Image 2

IRF530NPBF TO-220 IRF530N MOSFET canal N 100V 17A 70W transistor de puissance-55 ℃ ~ + 175 ℃ BOM mos N-ch - Product Image 3

IRF530NPBF TO-220 IRF530N MOSFET canal N 100V 17A 70W transistor de puissance-55 ℃ ~ + 175 ℃ BOM mos N-ch - Product Image 4

IRF530NPBF TO-220 IRF530N MOSFET canal N 100V 17A 70W transistor de puissance-55 ℃ ~ + 175 ℃ BOM mos N-ch - Product Image 5

IRF530NPBF TO-220 IRF530N MOSFET canal N 100V 17A 70W transistor de puissance-55 ℃ ~ + 175 ℃ BOM mos N-ch - Product Image 6

IRF530NPBF TO-220 IRF530N MOSFET canal N 100V 17A 70W transistor de puissance-55 ℃ ~ + 175 ℃ BOM mos N-ch

0,1366-0,2049 €

quantité minimum: 1 pièce

HONGKONG SMARE TRADING LIMITED

1 yrs

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